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IRF9Z34FXPBF

更新时间: 2024-11-22 06:11:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF9Z34FXPBF 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-55V;持续漏极电流(Id)(在25°C
IRF9Z34NL INFINEON

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Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
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HEXFET㈢ POWER MOSFET
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Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)