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IRFAC30

更新时间： 2024-09-12 21:55:23
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7页 147K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

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IRFAC30 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

IRFAC30 数据手册

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PD-90513  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
IRFAC30  
600V, N-CHANNEL  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRFAC30 600V 2.2Ω  
ID  
3.6Α  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
=0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
3.6  
2.3  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
14  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.6  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
180  
3.6  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
3.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/24/01  
1234567

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与IRFAC30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFAC32 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-204AA
IRFAC40 INFINEON

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 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T
IRFAC40 INTERSIL

获取价格

 		6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFAC40R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-204AA
IRFAC42 INTERSIL

获取价格

 		6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFAC42R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-204AA
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA
IRFAE20 ROCHESTER

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 		1.8A, 800V, 6.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-204AA
IRFAE30 INFINEON

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