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IRF9Z34NSTRR PDF预览

IRF9Z34NSTRR

更新时间： 2024-11-21 20:01:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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PD - 9.1525  
IRF9Z34NS/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRF9Z34NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRF9Z34NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
l P-Channel  
l Fully Avalanche Rated  
Description  
D
VDSS = -55V  
RDS(on) = 0.10Ω  
G
ID = -19A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
Thethrough-holeversion(IRF9Z34NL)isavailableforlow-  
profile applications.  
2
D
Pa k  
T O -2 6 2  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-19  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ -10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
-14  
A
-68  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
W
W
Power Dissipation  
68  
Linear Derating Factor  
0.45  
± 20  
180  
-10  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
6.8  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
2.2  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
–––  
8/25/97  
1234567...10

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IRF9Z34NSTRR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9Z34NSTRRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9Z34NSPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9Z34NSTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9Z34PBF KERSEMI

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 		Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel
IRF9Z34PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF9Z34PBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z34S INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A)
IRF9Z34S VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z34S, SiHF9Z34S VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z34SPBF INFINEON

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 		Surface Mount
IRF9Z34SPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z34STRL VISHAY

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 		Power MOSFET

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