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IRFAE30

更新时间： 2024-10-31 22:05:23

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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

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IRFAE30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	3.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFAE30 数据手册

PD - 90614

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

IRFAE30

800V, N-CHANNEL

THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRFAE30 800V 3.2Ω

3.1Α

The HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-

tance combined with high transconductance; superior re-

verse energy and diode recovery dv/dt capability.

TO-3

The HEXFET transistors also feature all of the well estab-

lished advantages of MOSFETs such as voltage control,

very fast switching, ease of paralleling and temperature

stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

They are well suited for applications such as switching

power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

=0V, T = 25°C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

3.1

2.0

= 0V, T = 100°C

@ T = 25°C

W/°C

0.6

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

100

3.1

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

7.5

dv/dt

2.0

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

11.5(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/24/01

12 3 4 5 6 7

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与IRFAE30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFAE40	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
IRFAE42	ROCHESTER	获取价格	4.4A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRFAE50	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE52	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 6.6A I(D) \| TO-204AA
IRFAF20	ROCHESTER	获取价格	1.6A, 900V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRFAF22	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| TO-204AA
IRFAF30	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAF40	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 900V, N-CHANNEL
IRFAF42	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 3.9A I(D) \| TO-204AA
IRFAF50	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

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