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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.2 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFAE22 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-204AA |
|
| IRFAE30 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
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| IRFAE40 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFAE42 | ROCHESTER |
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4.4A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRFAE50 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
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| IRFAE52 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6.6A I(D) | TO-204AA |
|
| IRFAF20 | ROCHESTER |
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1.6A, 900V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRFAF22 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-204AA |
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| IRFAF30 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
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| IRFAF40 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 900V, N-CHANNEL |
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