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IRFB11N50APBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFB11N50APBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	7	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	275 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	170 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB11N50APBF 数据手册

IRFB11N50A, SiHFB11N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.52

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

TO-220

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half and Full Bridge

• Power Factor Correction Boost

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB11N50APbF

SiHFB11N50A-E3

IRFB11N50A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB11N50A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

7.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

275

E_AR

170

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

6.9

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 11 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91094

S-81243-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFB11N50A	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
SIHFB11N50A-E3	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFB11N50APBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB13N50A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB13N50A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFB13N50A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A)
IRFB13N50APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB13N50APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFB16N50K	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB16N50K	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFB16N50K	KERSEMI	获取价格	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
IRFB16N50KPBF	KERSEMI	获取价格	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
IRFB16N50KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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