5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 310 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.46 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB17N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) |
|
| IRFB17N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB17N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
|
| IRFB17N50L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB17N50LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB17N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET ( VDSS=500V , RDS(on)typ.=0.28ヘ , |
|
| IRFB17N60K | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFB17N60K | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB17N60K | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB17N60KPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET(SWITCH MODE POWER SUPPLY) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
