是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220AB, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 390 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A | 最大漏极电流 (ID): | 16 A |
最大漏源导通电阻: | 0.32 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 220 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 64 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFB17N50LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFB17N50LPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET ( VDSS=500V , RDS(on)typ.=0.28ヘ , | |
IRFB17N60K | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFB17N60K | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFB17N60K | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFB17N60KPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET(SWITCH MODE POWER SUPPLY) | |
IRFB17N60KPBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFB17N60KPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFB18N50K | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFB18N50K | KERSEMI |
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Power MOSFET |