IRFB18N50K

更新时间： 2024-11-06 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	165K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFB18N50K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	20 weeks 1 day	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.29 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	220 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB18N50K 数据手册

IRFB18N50K, SiHFB18N50K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.26

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

120

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Low R_DS(on)

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switched and High Frequency Circuits

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB18N50KPbF

SiHFB18N50K-E3

IRFB18N50K

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB18N50K

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.8

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

E_AS

I_AR

370

E_AR

220

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

Mounting Torque

dV/dt

T_J, T_stg

7.8

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Starting T_J= 25 °C, L = 2.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 17 A.

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 376 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91100

S-80567-Rev. A, 20-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFB18N50K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP14NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.28 Î© typ., 12 A MDmeshâ¢

与IRFB18N50K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB18N50KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB18N50KPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFB20N50K	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB20N50K	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFB20N50K	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFB20N50K, SiHFB20N50K	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB20N50KPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFB20N50KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB20N50KPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB23N15	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)

与IRFB18N50K相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB18N50K

IRFB18N50K 技术参数

IRFB18N50K 数据手册

IRFB18N50K 替代型号

与IRFB18N50K相关器件

与IRFB18N50K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB18N50K

IRFB18N50K 技术参数

IRFB18N50K 数据手册

IRFB18N50K 替代型号

与IRFB18N50K相关器件

与IRFB18N50K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？