IRFB3004PBF

更新时间： 2024-11-05 11:09:31

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HEXFET Power MOSFET

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IRFB3004PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	195 A
最大漏源导通电阻：	0.00175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1310 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB3004PBF 数据手册

PD - 97377

IRFB3004PbF

IRFS3004PbF

IRFSL3004PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

40V

1.4m

1.75m

Ω

I_D

340A

(Silicon Limited)

Benefits

I_D

195A

(Package Limited)

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak

IRFS3004PbF

TO-220AB

IRFB3004PbF

TO-262

IRFSL3004PbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Parameter

Max.

340c

240c

195

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current d

1310

P_D@T_C= 25°C

380

Maximum Power Dissipation

2.5

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

4.4

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

°C

Storage Temperature Range

300

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfxin (1.1Nxm)

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

300

Avalanche Currentꢀd

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

Repetitive Avalanche Energy d

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Junction-to-Case kl

Typ.

–––

Max.

0.40

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface, TO-220

°C/W

Junction-to-Ambient, TO-220

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D Pak

www.irf.com

02/26/09

12 3 4 5 6 7...11

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IRFB3006GPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
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IRFB3077GPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
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IRFB30N20D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220AB
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