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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF2804PBF
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IRF2804PBF

更新时间： 2024-09-12 22:41:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 771K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF2804PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.75
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：540 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1080 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF2804PBF 数据手册

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PD - 95332A  
IRF2804PbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2804SPbF  
IRF2804LPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 40V  
‰
RDS(on) = 2.0mΩ  
G
ID = 75A  
S
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
IRF2804SPbF IRF2804LPbF  
TO-262  
TO-220AB  
IRF2804PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
270  
190  
75  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
1080  
300  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
540  
1160  
mJ  
E
AS (tested)  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
°C  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
08/25/05  
1234567...12

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IRF2804PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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