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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.07 | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0058 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF2807ZPBF | INFINEON |
类似代替  |
AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB33N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) |
|
| IRFB33N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFB3407ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFB3507 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB3507PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRFB3607GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFB3607PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB3710 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-263 |
|
| IRFB3806 | INFINEON |
获取价格 |
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utiliz |
|
| IRFB3806PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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