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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.53 | 雪崩能效等级（Eas）： | 94 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFB4103PBF | INFINEON | DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRFB4110 | INFINEON | The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB4110 | UMW | 种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFB4110_18 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB4110GPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4110PBF | FREESCALE | HEXFETPower MOSFET |
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