IRFB4115PBF

更新时间： 2024-01-31 05:13:08

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
页数	文件大小	规格书
8页	314K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFB4115PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.09	雪崩能效等级（Eas）：	830 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	104 A	最大漏极电流 (ID)：	104 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	380 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	420 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB4115PBF 数据手册

PD - 97354

IRFB4115PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

R_DS(on)typ.

150V

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

9.3m

Ω

max.

11m

Ω

I_D

104A

(Silicon Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

TO-220AB

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current c

Max.

104

Units

420

P_D@T_C= 25°C

380

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

2.5

V_GS

dv/dt

T_J

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery e

V/ns

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

°C

300

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

E_{AS (Thermally limited)}

220

Single Pulse Avalanche Energy d

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

Avalanche Currentꢀc

E_AR

Repetitive Avalanche Energy f

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.40

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.50

–––

°C/W

Junction-to-Ambient

www.irf.com

11/10/08

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFB4115PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFB4115GPBF	INFINEON	类似代替	HEXFETPower MOSFET
IRFB4321PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRFB4115PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB4127	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB4127PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFB4137PBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFB41N15D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRFB41N15DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB41N15DTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB4212PBF	INFINEON	获取价格	DIGITAL AUDIO MOSFET

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB4115PBF

IRFB4115PBF 技术参数

IRFB4115PBF 数据手册

IRFB4115PBF 替代型号

与IRFB4115PBF相关器件

与IRFB4115PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB4115PBF

IRFB4115PBF 技术参数

IRFB4115PBF 数据手册

IRFB4115PBF 替代型号

与IRFB4115PBF相关器件

与IRFB4115PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？