5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 470 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 41 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 164 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB41N15DTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFB41N15DTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFB4212PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
| IRFB4215 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB4215PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB4227 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFB4227PBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP SWITCH |
|
| IRFB4228PBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP SWITCH |
|
| IRFB4229 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFB4229 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
