5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFB4228PBF
IRFB4228PBF PDF预览

IRFB4228PBF

更新时间： 2024-09-25 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 680K
描述
PDP SWITCH

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFB4228PBF 数据手册

 浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB4228PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97227  
IRFB4228PbF  
PDP SWITCH  
Features  
Key Parameters  
l
Advanced Process Technology  
VDS min  
150  
180  
12  
170  
175  
V
V
m:  
A
°C  
l
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,  
Energy Recovery and Pass Switch Applications  
Low EPULSE Rating to Reduce Power  
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery  
and Pass Switch Applications  
VDS (Avalanche) typ.  
DS(ON) typ. @ 10V  
RP max @ TC= 100°C  
R
I
l
TJ max  
l
l
Low QG for Fast Response  
High Repetitive Peak Current Capability for  
Reliable Operation  
D
D
l
Short Fall & Rise Times for Fast Switching  
175°C Operating Junction Temperature for  
Improved Ruggedness  
l
G
S
l
Repetitive Avalanche Capability for Robustness  
and Reliability  
D
G
S
TO-220AB  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain; Energy Recovery & Pass switch  
applicationsinPlasmaDisplayPanels. ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieve  
low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C  
operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to  
make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
±30  
Parameter  
Units  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
83  
A
59  
330  
IRP @ TC = 100°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
170  
Repetitive Peak Current g  
Power Dissipation  
330  
W
170  
Power Dissipation  
2.2  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.45  
–––  
62  
Units  
Junction-to-Case f  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
–––  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient f  
°C/W  
Notes  through ꢀare on page 8  
www.irf.com  
1
06/26/06  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRFB4228PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB4227PBF INFINEON

类似代替

 PDP SWITCH

与IRFB4228PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFB4229 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB4229 ISC

获取价格

 		N-Channel MOSFET Transistor
IRFB4229PBF INFINEON

获取价格

 		PDP SWITCH
IRFB4233PBF INFINEON

获取价格

 		Energy Recovery & Pass switch applications in Plasma Display Panels
IRFB42N20D INFINEON

获取价格

 		High frequency DC-DC converters
IRFB42N20DPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB4310 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB4310 FREESCALE

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB4310GPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFB4310HR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFB4228PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证