IRFB4310ZPBF

更新时间： 2024-11-25 02:53:07

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HEXFET Power MOSFET

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IRFB4310ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.03	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	127 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB4310ZPBF 数据手册

PD - 97115A

IRFB4310ZPbF

IRFS4310ZPbF

IRFSL4310ZPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

100V

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

4.8m

6.0m

I_D

127A

(Silicon Limited)

I_D

75A

(Package Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak

IRFS4310ZPbF

TO-262

IRFSL4310ZPbF

TO-220AB

IRFB4310ZPbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Parameter

Max.

127c

90c

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current d

560

P_D@T_C= 25°C

250

Maximum Power Dissipation

1.7

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

300

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

130

Avalanche Currentꢀc

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b,

Repetitive Avalanche Energy g

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.6

Units

R_θJC

Junction-to-Case k

R_θCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

Junction-to-Ambient, TO-220 k

0.50

–––

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak jk

R_θJA

–––

www.irf.com

4/27/07

12 3 4 5 6 7...11

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IRFB4310ZPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP072N10N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS?3 Power-Transistor
IRFB4410ZPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
SPP11N80C3	INFINEON	类似代替	Cool MOS⑩ Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB4310ZTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB4310ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFB4321	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
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IRFB4332	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
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IRFB4410	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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