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IRFB4710

更新时间： 2024-01-24 23:32:12
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
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11页 245K
描述
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)

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IRFB4710 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.07Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：190 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB4710 数据手册

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PD- 94080  
IRFB4710  
IRFS4710  
IRFSL4710  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l Motor Control  
VDSS  
100V  
RDS(on) max  
ID  
75A  
0.014Ω  
l Uninterrutible Power Supplies  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRFS4710  
TO-262  
IRFSL4710  
TO-220AB  
IRFB4710  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
75  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
53  
300  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.4  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
8.2  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
0.74  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
–––  
0.50  
–––  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
40  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
3/16/01  
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