IRFB4410PBF

更新时间： 2024-02-07 18:28:52

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HEXFET Power MOSFET

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IRFB4410PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	242 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	390 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB4410PBF 数据手册

PD - 95707E

IRFB4410PbF

IRFS4410PbF

IRFSL4410PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

100V

8.0m

10m

88A

I_D

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak

IRFS4410PbF

TO-262

IRFSL4410PbF

TO-220AB

IRFB4410PbF

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

380

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

200

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

220

Avalanche Current

I_AR

See Fig. 14, 15, 16a, 16b

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.61

–––

Units

R_θ

Junction-to-Case

R_θ

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

Junction-to-Ambient, TO-220

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak

–––

www.irf.com

05/02/07

12 3 4 5 6 7...11

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IRFB4410PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRFB4410	INFINEON	类似代替	Advanced Process Technology
IRFB4410ZPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFB4410	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB4410Z	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB4410ZGPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFB4410ZPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB4410ZTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB4410ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB4510	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFB4510GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFB4510PBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFB4610	INFINEON	获取价格	IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRFB4610PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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