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IRFB61N15D

更新时间： 2024-02-27 21:52:35

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英飞凌 - INFINEON		/
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8页	212K
描述
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)

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IRFB61N15D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.18
雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	330 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB61N15D 数据手册

PD- 94207

SMPS MOSFET

IRFB61N15D

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

l Motor Control

V_DSS

150V

R_DS(on)max

I_D

60A

0.032Ω

l Uninterrutible Power Supplies

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

250

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

2.4

Power Dissipation

330

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.7

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

0.45

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

–––

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

°C/W

Notes through ꢀ are on page 8

www.irf.com

5/3/01

12 3 4 5 6 7 8

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