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IRFB7546

更新时间： 2024-01-03 06:52:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 542K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

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IRFB7546 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.69
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0073 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB7546 数据手册

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StrongIRFET™  
IRFB7546PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Application  
Brushed Motor drive applications  
BLDC Motor drive applications  
Battery powered circuits  
Half-bridge and full-bridge topologies  
Synchronous rectifier applications  
Resonant mode power supplies  
OR-ing and redundant power switches  
DC/DC and AC/DC converters  
DC/AC Inverters  
VDSS  
60V  
RDS(on) typ.  
max  
6.0m  
7.3m  
ID  
75A  
Benefits  
S
D
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness  
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA  
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
Lead-Free, RoHS Compliant  
G
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Orderable Part Number  
Quantity  
IRFB7546PbF  
TO-220  
Tube  
50  
IRFB7546PbF  
24  
20  
16  
12  
8
80  
60  
40  
20  
0
I
= 45A  
D
T
= 125°C  
J
4
T
= 25°C  
J
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
T
, Case Temperature (°C)  
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
C
GS,  
Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
November 7, 2014  
1234567...11

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