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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 5.54 | 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFB61N15D | INFINEON |
功能相似  |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB7430 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB7430PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB7430PBF | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRFB7434 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB7434 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB7434PBF | INFINEON |
获取价格 |
Brushed Motor drive applications |
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| IRFB7437 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFB7437PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB7437PBF | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IRFB7440 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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