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IRFB7437PBF

更新时间： 2024-01-13 08:03:23

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10页	269K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRFB7437PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.11	雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A
最大漏极电流 (ID)：	195 A	最大漏源导通电阻：	0.002 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	230 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB7437PBF 数据手册

PD - 97776

StrongIRFET

IRFB7437PbF

Applications

l Brushed Motor drive applications

l BLDC Motor drive applications

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

l DC/AC Inverters

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

40V

R_DS(on)typ.

1.5m

2.0m



max.

I_D

250A

(Silicon Limited)

195A

(Package Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

TO-220AB

IRFB7437PbF

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

Gate

Drain

Source

Ordering Information

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Complete Part

Number

IRFB7437PbF

Quantity

TO-220

Tube

IRFB7437PbF

250

200

150

100

= 100A

LIMITED BY PACKAGE

= 125°C

= 25°C

4.0

6.0

8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0

, Gate-to-Source Voltage (V)

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

4/20/12

12 3 4 5 6 7...10

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