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IRFB7530PBF

更新时间： 2024-02-13 10:20:42

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	659K
描述
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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IRFB7530PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.11	雪崩能效等级（Eas）：	1025 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A	最大漏极电流 (ID)：	195 A
最大漏源导通电阻：	0.002 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	760 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB7530PBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFB7530PbF

IRFS7530PbF

IRFSL7530PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

60V

R_DS(on)typ.

max

1.65m

2.00m

295A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

195A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

D²Pak

TO-220AB

TO-262

IRFB7530PbF

IRFSL7530PbF

IRFS7530PbF

Gate

Drain

Source

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRFB7530PbF

IRFSL7530PbF

TO-220

TO-262

Tube

IRFB7530PbF

IRFSL7530PbF

IRFS7530PbF

Tube

IRFS7530PbF

D²-Pak

Tape and Reel Left

800

IRFS7530TRLPbF

300

250

200

150

100

= 100A

Limited by package

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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November 7, 2014

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFB7537	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
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IRFB7540	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IRFB7540	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFB7545	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFB7545PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRFB7546	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB7546PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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