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IRFB830

更新时间： 2024-11-25 17:15:51

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IRFB830 数据手册

IRFB830

Rev.E May.-2016

DATA SHEET

描述 / Descriptions

TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.

特征 / Features

低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

Low gate charge, low crss, fast switching.

用途 / Applications

用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。

These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power

supplies.

内部等效电路 / Equivalent Circuit

引脚排列 / Pinning

PIN1：G

PIN 2,4：D

PIN 3：S

放大及印章代码 / h_FEClassifications & Marking

见印章说明。See Marking Instructions.

http://www.fsbrec.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB9N30A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB9N30A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=300V, Rds(on)=0.45ohm, Id=9.3A)
IRFB9N30APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFB9N30APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB9N60	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
IRFB9N60A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
IRFB9N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFB9N60APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB9N65	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFB9N65A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)