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IRFB7446

更新时间： 2024-01-27 13:29:17

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	548K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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IRFB7446 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.08	雪崩能效等级（Eas）：	111 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	99 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	492 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB7446 数据手册

StrongIRFET™

IRFB7446PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

R_DS(on)typ.

max

40V

2.6m

3.3m

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

123A

120A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free*

TO-220AB

IRFB7446PbF

 RoHS Compliant, Halogen-Free*

Gate

Drain

Source

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRFB7446PbF

TO-220

Tube

IRFB7446PbF

125

100

= 70A

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

Gate -to -Source Voltage (V)

, Case Temperature (°C)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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November 7, 2014

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