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| 英飞凌 - INFINEON |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 258K |  |
| 描述 | ||
| The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 3.9 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 760 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 195 A | 最大漏极电流 (ID)： | 195 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1524 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB7430PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB7430PBF | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRFB7434 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB7434 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB7434PBF | INFINEON |
获取价格 |
Brushed Motor drive applications |
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| IRFB7437 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFB7437PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB7437PBF | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRFB7440 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB7440 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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