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IRFB7434

更新时间： 2024-02-01 20:08:08

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无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
2页	338K
描述
N-Channel MOSFET Transistor

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IRFB7434 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.92
雪崩能效等级（Eas）：	490 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A	最大漏极电流 (ID)：	195 A
最大漏源导通电阻：	0.0016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	294 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1270 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB7434 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor

IRFB7540，IIRFB7540

·FEATURES

·Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤5.1mΩ

·Enhancement mode

·Fast Switching Speed

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRITION

·reliable device for use in a wide variety of applications

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current-Continuous

Drain Current-Single Pulsed

Total Dissipation @T_C=25℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

I_DM

380

P_D

160

℃

175

T_j

-55~175

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

PARAMETER

MAX

UNIT

Channel-to-case thermal resistance

℃/W

1.21

Channel-to-ambient thermal resistance

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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