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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 73 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 73 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 290 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRFB4610 | INFINEON |
完全替代  |
AUTOMOTIVE GRADE |
|
| IRFB4610 | INFINEON |
类似代替 |
IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB4610TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFB4610TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFB4610TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFB4615 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFB4615PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4620 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFB4620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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| IRFB4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFB52N15 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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