Datasheet > IRFB5615

IRFB5615

更新时间： 2024-02-05 18:23:01

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
8页	280K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFB5615 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.87	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	109 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	144 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB5615 数据手册

PD - 96173

DIGITAL AUDIO MOSFET

IRFB5615PbF

Features

Key Parameters

• Key Parameters Optimized for Class-D Audio

Amplifier Applications

V_DS

150

R_DS(ON)typ. @ 10V

Q_gtyp.

• Low R_DSONfor Improved Efficiency

• Low Q_Gand Q_SWfor Better THD and Improved

Efficiency

Ω

_swtyp.

2.7

175

R_G(int)typ.

T_Jmax

°C

• Low Q_RRfor Better THD and Lower EMI

• 175°C Operating Junction Temperature for

Ruggedness

• Can Deliver up to 300W per Channel into 4Ω Load in

Half-Bridge Configuration Amplifier

TO-220AB

Gate

Drain

Source

Description

This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes

thelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diode

reverse recovery and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance

factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction

temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient,

robust and reliable device for ClassD audio amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

150

±20

Units

V_DS

V_GS

Gate-to-Source Voltage

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

140

144

Power Dissipation

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_C= 100°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.96

W/°C

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

T_STG

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

1.045

–––

Units

Junction-to-Case

R_θJC

–––

0.50

–––

R_θ

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

Notes through ꢀare on page 2

www.irf.com

09/05/08

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与IRFB5615相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFB5615PBF	INFINEON	DIGITAL AUDIO MOSFET	获取价格
IRFB5620	INFINEON	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim	获取价格
IRFB5620PBF	INFINEON	DIGITAL AUDIO MOSFET	获取价格
IRFB59N10	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)	获取价格
IRFB59N10D	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)	获取价格
IRFB59N10DPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB5615

IRFB5615 技术参数

IRFB5615 数据手册

与IRFB5615相关器件

与IRFB5615相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFB5615

IRFB5615 技术参数

IRFB5615 数据手册

与IRFB5615相关器件

与IRFB5615相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？