5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF PDF预览

IRFB52N15DPBF

更新时间： 2024-02-16 01:02:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 342K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

获取价格

IRFB52N15DPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.14雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：51 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRFB52N15DPBF 数据手册

 浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97002  
IRFB52N15DPbF  
IRFS52N15DPbF  
PROVISIONAL  
SMPS MOSFET  
IRFSL52N15DPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
Key Parameters  
l High frequency DC-DC converters  
l Plasma Display Panel  
l Lead-Free  
VDS  
150  
200  
32  
V
V
m
V
R
DS (Avalanche) min.  
DS(ON) max @ 10V  
Benefits  
TJ max  
175  
°C  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB52N15DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51*  
36*  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Pulsed Drain Current   
240  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation ‡  
230*  
Linear Derating Factor ‡  
1.5*  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47*  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
05/17/05  
1234567...12

下载PDF

与IRFB52N15DPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFB5615 INFINEON The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim

获取价格
IRFB5615PBF INFINEON DIGITAL AUDIO MOSFET

获取价格
IRFB5620 INFINEON The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim

获取价格
IRFB5620PBF INFINEON DIGITAL AUDIO MOSFET

获取价格
IRFB59N10 INFINEON Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)

获取价格
IRFB59N10D INFINEON Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)

获取价格

与IRFB52N15DPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证