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IRFB52N15DPBF

更新时间： 2024-01-20 02:52:34
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12页 342K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFB52N15DPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.14雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：51 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRFB52N15DPBF 数据手册

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PROVISIONAL  
IRFB52N15DPbF/IRFS52N15DPbF/IRFSL52N15DPbF  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+VDD  
-
10V  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
C)  
175  
°
(
T
, Case Temperature  
10%  
C
V
GS  
t
t
r
t
t
f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
d(on)  
d(off)  
Case Temperature  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
1
D = 0.50  
0.20  
0.1  
0.10  
0.05  
SINGLE PULSE  
(THERMAL RESPONSE)  
0.02  
0.01  
P
DM  
0.01  
t
1
t
2
Notes:  
1. Duty factor D =  
t / t  
1
2
2. Peak T  
= P  
x Z  
+ T  
J
DM  
thJC  
C
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
www.irf.com  
5
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IRFB52N15DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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