5秒后页面跳转
IRFB52N15DPBF PDF预览

IRFB52N15DPBF

更新时间: 2024-01-29 05:29:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 342K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFB52N15DPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:3.14雪崩能效等级(Eas):470 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):51 A
最大漏极电流 (ID):51 A最大漏源导通电阻:0.032 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

IRFB52N15DPBF 数据手册

 浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFB52N15DPBF的Datasheet PDF文件第8页 
PROVISIONAL  
IRFB52N15DPbF/IRFS52N15DPbF/IRFSL52N15DPbF  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+VDD  
-
10V  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
C)  
175  
°
(
T
, Case Temperature  
10%  
C
V
GS  
t
t
r
t
t
f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
d(on)  
d(off)  
Case Temperature  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
1
D = 0.50  
0.20  
0.1  
0.10  
0.05  
SINGLE PULSE  
(THERMAL RESPONSE)  
0.02  
0.01  
P
DM  
0.01  
t
1
t
2
Notes:  
1. Duty factor D =  
t / t  
1
2
2. Peak T  
= P  
x Z  
+ T  
J
DM  
thJC  
C
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
www.irf.com  
5

IRFB52N15DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB4321PBF INFINEON

类似代替

HEXFET Power MOSFET
IRFB52N15D INFINEON

功能相似

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)

与IRFB52N15DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFB5615 INFINEON

获取价格

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB5615PBF INFINEON

获取价格

DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB5620 INFINEON

获取价格

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB5620PBF INFINEON

获取价格

DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB59N10 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10D INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10DPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFB61N15D INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB61N15DPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFB7430 INFINEON

获取价格

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim