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IRFB52N15DPBF

更新时间： 2024-02-13 01:47:19

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HEXFET Power MOSFET

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IRFB52N15DPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.14	雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	51 A
最大漏极电流 (ID)：	51 A	最大漏源导通电阻：	0.032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFB52N15DPBF 数据手册

PROVISIONAL

IRFB52N15DPbF/IRFS52N15DPbF/IRFSL52N15DPbF

100000

10000

1000

100

= 0V,

f = 1 MHZ

= 36A

= C + C

SHORTED

iss

= 120V

= 75V

= C

rss

= C + C

oss

ds gd

Ciss

Coss

Crss

100

1000

Total Gate Charge (nC)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000

100

1000.00

100.00

10.00

1.00

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R

(on)

= 175°C

100µsec

1msec

= 25°C

10msec

Tc = 25°C

= 0V

Tj = 175°C

Single Pulse

0.10

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

100

1000

, Source-toDrain Voltage (V)

, Drain-toSource Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

1 2 345 6 7...12

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