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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFB5620PBF
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IRFB5620PBF

更新时间： 2024-11-27 11:09:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲放大器局域网
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7页 270K
描述
DIGITAL AUDIO MOSFET

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IRFB5620PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.08雪崩能效等级（Eas）：113 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.0725 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：144 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFB5620PBF 数据手册

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PD - 96174  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRFB5620PbF  
Features  
Key Parameters  
• Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
VDS  
200  
V
m
RDS(ON) typ. @ 10V  
Qg typ.  
60  
• Low RDSON for Improved Efficiency  
• Low QG and QSW for Better THD and Improved  
Efficiency  
25  
nC  
nC  
Ω
Qsw typ.  
9.8  
2.6  
175  
RG(int) typ.  
TJ max  
°C  
• Low QRR for Better THD and Lower EMI  
• 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
D
S
D
• Can Deliver up to 300W per Channel into 8Ω Load in  
Half-Bridge Configuration Amplifier  
G
S
D
G
TO-220AB  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes  
thelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diode  
reverse recovery and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance  
factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction  
temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient,  
robust and reliable device for ClassD audio amplifier applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
200  
±20  
25  
Units  
VDS  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
18  
A
100  
144  
72  
Power Dissipation  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.96  
W/°C  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
-55 to + 175  
TSTG  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
1.045  
–––  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
–––  
0.50  
–––  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
CS  
RθJA  
62  
Notes  through ꢀare on page 2  
www.irf.com  
1
09/05/08  
1234567

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