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IRFB52N15DPBF

更新时间： 2024-02-26 18:17:02

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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12页	342K
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HEXFET Power MOSFET

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IRFB52N15DPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.14	雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	51 A
最大漏极电流 (ID)：	51 A	最大漏源导通电阻：	0.032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFB52N15DPBF 数据手册

PROVISIONAL

IRFB52N15DPbF/IRFS52N15DPbF/IRFSL52N15DPbF

900

15V

TOP

15A

26A

36A

720

540

360

180

DRIVER

BOTTOM

D.U.T

20V

0.01

Ω

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

175

Starting Tj, Junction Temperature

( C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. Drain Current

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

12V

10 V

.3µF

D.U.T.

3mA

Charge

Current Sampling Resistors

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

www.irf.com

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IRFB52N15DPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFB4321PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFB52N15D	INFINEON	功能相似	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)

与IRFB52N15DPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFB5615	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB5615PBF	INFINEON	获取价格	DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB5620	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB5620PBF	INFINEON	获取价格	DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB59N10	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB61N15D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB61N15DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFB7430	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim