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IRFB4610TRLPBF

更新时间： 2024-02-10 23:59:06
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFB4610TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：73 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFB4610TRLPBF 数据手册

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PD - 96906C  
IRFB4610  
IRFS4610  
IRFSL4610  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
D
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
VDSS  
100V  
11m  
RDS(on) typ.  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
G
14m  
73A  
max.  
ID  
S
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
G D S  
G D S  
G D S  
D2Pak  
IRFS4610  
TO-262  
IRFSL4610  
TO-220AB  
IRFB4610  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
73  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
52  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
290  
190  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
1.3  
W/°C  
V
± 20  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
7.6  
Peak Diode Recovery  
dV/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
370  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
–––  
40  
www.irf.com  
1
01/23/06  
1234567...12

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