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IRFB41N15DPBF

更新时间： 2024-02-25 18:38:13
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 338K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFB41N15DPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：41 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：164 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFB41N15DPBF 数据手册

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PD - 94927A  
IRFB41N15DPbF  
IRFIB41N15DPbF  
IRFS41N15DPbF  
IRFSL41N15DPbF  
Applications  
l HighfrequencyDC-DCconverters  
l Lead-Free  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS RDS(on) max  
ID  
Benefits  
0.045  
150V  
41A  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
TO-220AB  
IRFB41N15D  
D2Pak  
TO-262  
TO-220 FullPak  
IRFIB41N15D  
IRFS41N15D IRFSL41N15D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
41  
Units  
A
I
I
I
@ T = 25°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ T = 100°C  
C
29  
164  
3.1  
200  
48  
DM  
Power Dissipation, D2Pak  
P
P
P
@T = 25°C  
A
W
D
D
D
@T = 25°C  
C
Power Dissipation, TO-220  
Power Dissipation, Fullpak  
Linear Derating Factor, TO-220  
Linear Derating Factor, Fullpak  
Gate-to-Source Voltage  
@T = 25°C  
C
1.3  
W/°C  
0.32  
± 30  
V
V
GS  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
dv/dt  
T
J
2.7  
V/ns  
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
1.1(10)  
N•m (lbf•in)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
–––  
–––  
–––  
Max.  
0.75  
3.14  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
JC  
cs  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case, Fullpak  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient, D2Pak  
JA  
JA  
JA  
40  
65  
Junction-to-Ambient, Fullpak  
Notes  through ‡ are on page 12  
www.irf.com  
1
08/10/06  
1234567...13

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IRFB41N15DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB4321PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFB41N15D INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)

与IRFB41N15DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFB41N15DTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFB41N15DTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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