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| 英飞凌 - INFINEON |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 345K |  |
| 描述 | ||
| The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 370 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 670 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFB4110_18 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB4110GPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4110PBF | FREESCALE | HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB4110PBF | INFINEON | High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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| IRFB4110QPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4115 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor |
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