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IRFB4110PBF

更新时间： 2024-02-29 15:55:18

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HEXFETPower MOSFET

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IRFB4110PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.73	雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	370 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	670 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB4110PBF 数据手册

IRFB4110PBF

Applications

^lHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

100V

^lUninterruptible Power Supply

^lHigh Speed Power Switching

^lHard Switched and High Frequency Circuits

3.7m

4.5m

180A

120A

Benefits

^lImproved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt

Ruggedness

^lFully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

^lEnhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

TO-220AB

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

180

130

120

670

370

2.5

Units

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

5.3

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

300

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

190

Avalanche Current

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.402

–––

Units

R_θ

Junction-to-Case

R_θCS

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

R_θ

www.freescale.net.cn

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