IRFB4110GPBF

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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HEXFET Power MOSFET

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IRFB4110GPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	7.68	雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	370 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	670 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB4110GPBF 数据手册

PD - 96214

IRFB4110GPbF

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

100V

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

3.7m

4.5m

180A

120A

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

l Halogen-Free

TO-220AB

IRFB4110GPbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

180

130

120

670

370

2.5

Units

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

5.3

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

°C

300

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

10lbf in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

190

Avalanche Current

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.402

–––

Units

R_θJC

Junction-to-Case

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

www.irf.com

01/06/09

12 3 4 5 6 7 8

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