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IRFB3607GPBF

更新时间： 2024-02-22 16:41:14

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

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IRFB3607GPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.53
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	310 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB3607GPBF 数据手册

PD - 96329

IRFB3607GPbF

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in

HEXFET^®Power MOSFET

SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

75V

R_DS(on)typ.

max.

I_D

7.34m

9.0m

80A

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt

Capability

l Lead-Free

l Halogen-Free

TO-220AB

IRFB3607GPbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

310

P_D@T_C= 25°C

140

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.96

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

120

Avalanche Current

I_AR

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJC

Junction-to-Case

1.045

–––

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface, TO-220

Junction-to-Ambient, TO-220

www.irf.com

08/12/10

12 3 4 5 6 7 8

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