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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.12 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 652353 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-220AB_1 |
| Samacsys Released Date： | 2018-06-19 06:29:38 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 73 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 51 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB4020 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB4020PBF | INFINEON |
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DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRFB4103PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRFB4110 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFB4110 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFB4110_18 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFB4110GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB4110PBF | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRFB4110PBF | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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| IRFB4110QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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