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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF PDF预览

IRFB38N20DPBF

更新时间： 2024-11-18 02:58:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 276K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFB38N20DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.93Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：320 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB38N20DPBF 数据手册

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PD - 95620  
IRFB38N20DPbF  
IRFS38N20D  
IRFSL38N20D  
HEXFET® Power MOSFET  
SMPS MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l TO-220 is available in PbF as Lead-  
VDSS  
200V  
RDS(on) max  
ID  
44A  
0.054Ω  
Free  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRFS38N20D  
TO-262  
IRFSL38N20D  
TO-220AB  
IRFB38N20DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
44  
32  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
180  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation  
320  
Linear Derating Factor  
2.1  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
9.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
8/10/04  
1234567...11

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IRFB38N20DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRFB38N20D INFINEON

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IRFB4020 INFINEON

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 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB4020PBF INFINEON

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 		DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFB4103PBF INFINEON

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IRFB4110 INFINEON

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IRFB4110 UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFB4110_18 ISC

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