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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.12 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 210 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 370 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 850 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFB3207PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRF2907ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFB3207ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFB30N20D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFB31N20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
|
| IRFB31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
|
| IRFB31N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
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| IRFB3206 | INFINEON |
获取价格 |
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utiliz |
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| IRFB3206GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRFB3206PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB3207 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFB3207HR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFB3207PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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