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IRFB31N20DPBF PDF预览

IRFB31N20DPBF

更新时间： 2024-11-06 04:07:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 292K
描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )

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IRFB31N20DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：420 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.082 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：124 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB31N20DPBF 数据手册

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PD - 94946  
IRFB31N20DPbF  
IRFS31N20DPbF  
IRFSL31N20DPbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC converters  
l Lead-Free  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
200V  
0.082Ω  
31A  
Benefits  
l Low Gate to Drain to Reduce Switching  
Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design,(See  
AN 1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFSL31N20DPbF  
IRFB31N20DPbF IRFS31N20DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
31  
21  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
124  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.1  
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
2.1  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Applicable Off Line SMPS Topologies  
l Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter  
Notes  through † are on page 11  
www.irf.com  
1
3/1/04  
1234567...12

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IRFB31N20DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB4620PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFB31N20D INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

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