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IRFB3307

更新时间： 2024-09-14 22:24:11
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英飞凌 - INFINEON /
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11页 413K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFB3307 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0063 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：510 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB3307 数据手册

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PD - 96901A  
IRFB3307  
IRFS3307  
IRFSL3307  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
75V  
5.0m  
6.3m  
:
:
G
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
ID  
130A  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
G D S  
G D S  
G D S  
D2Pak  
IRFS3307  
TO-262  
IRFSL3307  
TO-220AB  
IRFB3307  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current d  
Max.  
130c  
91c  
Units  
A
510  
PD @TC = 25°C  
250  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
1.6  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
11  
Peak Diode Recovery f  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
270  
mJ  
A
Avalanche Currentꢀc  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b  
Repetitive Avalanche Energy g  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.61  
–––  
62  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case k  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220 k  
2
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D Pak  
jk  
www.irf.com  
1
11/04/04  
1234567...11

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