5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFB3256PBF
IRFB3256PBF PDF预览

IRFB3256PBF

更新时间： 2024-11-27 19:59:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 270K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFB3256PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.15配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IRFB3256PBF 数据手册

 浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB3256PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97727  
IRFB3256PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
60V  
2.7m  
3.4m  
Ω
Ω
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
max.  
G
ID (Silicon Limited)  
206A  
ID  
75A  
(Package Limited)  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
D
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
S
D
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
G
TO-220AB  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Parameter  
Max.  
206  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
172  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
75  
820  
PD @TC = 25°C  
W
300  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.0  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
3.3  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case)  
10lbf in (1.1N m)  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
EAS  
340  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
CS  
RθJA  
www.irf.com  
1
09/22/11  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRFB3256PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFB3306 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFB3306GPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB3306PBF INFINEON

获取价格

 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFB3307 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB3307PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFB3307Z INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFB3307ZGPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFB3307ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFB33N15D INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
IRFB33N15DPBF INFINEON

获取价格

 		High frequency DC-DC converters

与IRFB3256PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证