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IRFB20N50KPBF

更新时间： 2024-11-27 05:39:27

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Power MOSFET

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IRFB20N50KPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	6.97	雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB20N50KPBF 数据手册

IRFB20N50K, SiHFB20N50K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.21

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

110

COMPLIANT

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

_gd(nC)

Configuration

Single

• Low R_DS(on)

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switched and High Frequency Circuits

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB20N50KPbF

SiHFB20N50K-E3

IRFB20N50K

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB20N50K

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

E_AS

I_AR

330

E_AR

280

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

Mounting Torque

dV/dt

T_J, T_stg

6.9

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 20 A.

c. I_SD≤ 20 A, dI/dt ≤ 350 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91101

S-Pending-Rev. A, 11-Aug-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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