是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220AB, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.16 | 雪崩能效等级(Eas): | 330 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A |
最大漏极电流 (ID): | 17 A | 最大漏源导通电阻: | 0.42 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 340 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 68 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFB17N60KPBF | VISHAY |
完全替代 |
Power MOSFET | |
SIHFB17N60K-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFB17N60KPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET(SWITCH MODE POWER SUPPLY) | |
IRFB17N60KPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB17N60KPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB18N50K | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB18N50K | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB18N50K | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A) | |
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB18N50KPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFB20N50K | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFB20N50K | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |