Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFB13N50APBF

IRFB13N50APBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:27

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威世 - VISHAY		/
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8页	156K
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Power MOSFET

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IRFB13N50APBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.8
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB13N50APBF 数据手册

IRFB13N50A, SiHFB13N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Lower Gate Charge Q_gResults in Simpler Drive

Reqirements

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.450

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supplies

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB13N50APbF

SiHFB13N50A-E3

IRFB13N50A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB13N50A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

9.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

560

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

E_AR

250

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

9.2

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 5.7 mH, R_G= 25 Ω, I_AS=14 A, dV/dt = 7.6 V/ns (see fig. 12a).

c. I_SD≤ 14 A, dI/dt ≤ 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91095

S-81393-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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